Activity

забавно… тогда можно просто две одинаковые обмотки, только включенные в противоположных направлениях. какая разница - мотать сначала первый полюс, а потом четвертый, или наоборот?

я кулер размотал, родную обмотку, было вообще дико сделано: намотано сложенным вдвое проводом, один конец к +, середина к микросхеме (Общий Коллектор выход?) и другой конец к микросхеме… ИМХО, так вообще не надо делать! 😃

сделал так:
перемотал кулер (80мм) - намотал по 50 витков ПЭВ-2 на 1-й и 3-й полюса якоря последовательно (первая обмотка), по 50 витков на 2-й и 4-й полюса послевдовательно - вторая обмотка, все мотал в одном направлении. остальная схема такая же - кт816, 150 Ом, включил по схеме, подал 12В - минут 5 проработало и сгорела обмотка.

Вопрос: как правильно намотать, чтобы иметь хорошую скорость (порядка 7000 об/мин хочу) на 12В?

Считать влом а прикинуть так : R1 =50 Ом. Питание 10 вольт. Ток коллектора ( без влияния затвора) =200мА. Мощность на коллекторе уже до 2 ватт. В итоге всю идею фтопку.
С учетом влияния затвора - добавить средний ток от разряда емкости затвора( считается через энергию конденсатора) При этом пиковое значение тока разряда не должно превышать пиковое значение тока коллектора. В итоге надо будет еще установить последовательно в затвором малое сопротивление.

вообще некрасиво получается! а на тиристорах уже делали? или напряжения мало?

субж, камрады!
в интернет-магазине каком-нибудь, например. а то у нас в городе в единственном месте, где сие продается, оно подчас уже б/у и 500р за килограмм. и нет того, который нужен. в общем, ежели кто знает - подскажите?

а если ещё транзисторы заменить на uln2003 - оно составное, дарлингтон, 7 каналов - по быстродействию оно потянет?
и какие номиналы тут лучше, в таком случае? расчитывая на емкость затвора порядка 1,2…1,5нФ?

почему бы не сделать вот такой полумост? на N-канальных мосфетах… он будет работать, правда, только при небольшой частоте ШИМ (до 10-15 кГц, если оба транзистора дёргать), и пара деталей в нагрузку (конденсатор и диод), зато выигрыш от использования N-FET… Ы?